belirtilen süre çalışırken belli ısı ve voltaj altındaki süre olmalı. ısı ve voltaj düşükse çok daha uzun olur. kondansatör voltajı daha yüksek seçilip 105 derecelik kandansatör kullanırsanız hatta düşük esr li kullanırsanız süre artacaktır.
aklımızın almadığı bilimin açıklayamadığı gerçeklerde vardır. o çobanlar demekki tecrübe edilip faydası olduğu bilinen bir tedavi uygulamışlar. topraktan geldik toprak olacağız.
çıkış gerilimini girişi yarım dalga olarak kuvvetlendiren inverting opamp. gerilim kazancı - Rpot/R3
sekonder de oluşan sinüs dalgasının - alternansını kuvvetlendirir. + alternandını sıfırlar.
Qg büyük ise ve mosfet driver şarz deşarz akımlarıda büyükse yine 2. durumdaki ısınma az olur.
yani önemli olan mosfet giriş kapasitesini şarz ve deşarz etmek.
ya giriş kapasitesi düşük olacak yada yüksek akım basan çeken driver ile mosfeti süreceksin.
senin devrede mosfet driver değişmeyeceği...
onu takabilirsin. çin malı seçmezsen daha iyi olur.
şöyle düşün.
mosfet 2 sebeple ısınır.
1 rds üzerinden geçen akım
2 yükselme ve düşme anında oluşan ısınma.
yükselme ve düşme süresi ne kadar uzun olursa tipik olarak 1us altındadır bu esnada vds x ids kadar ısınma yapar.
işte Qg ne kadar düşük...
14-14,1 volt da zaten kesmesi gerekir. asitli ve agm aküler 14,6 14,7 volta kadar şarz edilir.
gel aküde asitli akü şarz cihazı kullanırsanız aşırı şarz gel aküye zarar verecektir.
aküleri ayrı ayrı ölçün içlerinde aşırı düşük voltajlı olan varmı. varsa onu ekstradan ayrı olarak şarz edin. bütün akülerin eşit şarz voltajında olması lazım.
mosfet DS arasını bir kontak gibi düşün. kontağı kısa devre edince kontak ısınmaz , açıncada ısınmaz.
Yükle yükün üzerindeki dalga şekliyle alakalı değil.
mosfet tam iletimdeyken vds=0
tam kesimdeyken ids=0
mosfet güç harcaması vds x ids dir.
yani iki durumdada, hem iletimde hem kesimde mosfet güç harcaması sıfırdır.
bu sebeple anahtarlama yapılır.
mosfet yerine bipolar transistör kullanılmamasının sebebi daha yavaş kesime iletime geçmesi...