igbt kullanımı hakkında

[devreci]

1- igbt on durumundan off durumuna getirirken illa gate voltajı negatife indirilmek zorunda mı ? pdf incelediğimde bu durumla ilgili hiçbir şey yazmıyor hatta +12 -- 0V denemeleri yapmış ve grafiğini çizmişler. Ama internette -5v indirmek gerekiyor diye bilgiler var , bu konuyu bir kesinliğe kavuşursak çok iyi olur

2- igbt pdf lerde 50amp dayanımı olan bir igbt 1ms lik sürede 200ampere dayanabileceği yazıyor , bu durumda 1/1000 = 1us bir süre için 200000ampere dayabilir diyebilir miyiz ? hiçbir direnç ve endüktif bir yük olmadan direkt kollektörü +300v bağlı bir igbtyi 1us sürede on off yapsak igbt patlar mı ? kristalinde bozuşmalar olurmu ?

 

[clc]

1- 0V çoğunlukla yeterli. Ancak turn off loss düşürmek, ve false turn on durumundan kaçınmak için negatif voltaj tavsiye edilir. Device ve application netleştirmek gerekir.

2- O akım değerleri termal değerlerdir, yazan değere ulaşacak soğutma sistemi zordur. Ancak 1ms altında max kaç A ya dayanabilir için genellikle bir grafik olur, ama her device için bu verilmiyor maalesef. Ama şöyle ki 1us 200kA sorusunun farazi olduğunu düşünüyorum, çünkü hiç L yok zaten farazi bir söylem. Kaç A anahtarlayabilirim sorusunun cevabı için double pulse test e bakabilirsiniz.

@Taçsız Kral Pele aktif değil ama eminim güzel bilgiler paylaşabilir

 

[Mikro Step]

Gate'de biriken sarji yavassa sifirlamak uygulamanda sorun olusturmuyorsa (IGBT isinmiyorsa) negatif voltaj kullanmak zorunda degilsin.

Diger soru icin IGBT uzerinde harcanabilecek enerjiden hesapla. Joule cinsinden bu veriyi zaten veriyorlar.

 

[Taçsız Kral Pele]

1) Genelde 0V sürülebilir sorun yok. Ama IGBT açılma ve kapanma hızı ki bunlar özellikle leg halinde ise @clc 'nin dediği gibi kendliğinden tetiklemeler olabilir. Özellikle yüksek dv/dt için gate'i -5V'da tutmak iyidir.

2) SOA grafiğine bakmak gerekir. Düz hesap yapamayız. Özellikle die o kadar hızlı ısıyı öteleyemeyebilir ve hot spot oluşabilir. Bu ısıyı hızlı atamadığı için de sıcaklık orada fena yükselip IGBT'yi bozar.

Olayı amper ve gerilim olarak okumak lazım. 300V gerilimi IGBT ile anahtarlasan akım ne olur? 300V gerilimi kısa devre yap akım ne olursa işte o olur.

Kısa bir not da şu. 200A IGBT mi seçtin, bu IGBT'den genelde 100A rms akım geçirmek uygun olur. Kaba hesap genelde böyle oluyor.

 

[clc]

1) Genelde 0V sürülebilir sorun yok. Ama IGBT açılma ve kapanma hızı ki bunlar özellikle leg halinde ise @clc 'nin dediği gibi kendliğinden tetiklemeler olabilir. Özellikle yüksek dv/dt için gate'i -5V'da tutmak iyidir.

2) SOA grafiğine bakmak gerekir. Düz hesap yapamayız. Özellikle die o kadar hızlı ısıyı öteleyemeyebilir ve hot spot oluşabilir. Bu ısıyı hızlı atamadığı için de sıcaklık orada fena yükselip IGBT'yi bozar.

Olayı amper ve gerilim olarak okumak lazım. 300V gerilimi IGBT ile anahtarlasan akım ne olur? 300V gerilimi kısa devre yap akım ne olursa işte o olur.

Kısa bir not da şu. 200A IGBT mi seçtin, bu IGBT'den genelde 100A rms akım geçirmek uygun olur. Kaba hesap genelde böyle oluyor.

Son eklemenin sebebini bir açıklayayım, termal olarak mantıklı olan nokta olduğu için değil, device ömrü açısından yarısı kadar işini kullanıyoruz. Şart değil ama genel kabul edilmiş bir yöntem, zaten soğutma olarak tıkanılıyor bir yerden sonra.