Mesela R11-Ground hattının ne kadar dolambaçlı, zayıf ve dengesiz olduğunu görmen lazım. Kesinlikle bu şekilde olmaz.
Dirençleri mosfetlerin source bacakları tarafına al. Dirençlerin GND bacaklarını Drain leri birleştiren gibi düz ve kalın bir hat ile birleştir.
Arada sıkışan Gate...
Kartın boşluklarını dolduran Ground kaplamasını kaldır. 220V hatları devrenin geri kalanı ile ilişkili hiçbir hattın yakınından geçmemeli.
Pot klemensini trafonun dibinden kaldır. Yerine 220V klemensini koy. Böylece hiç dolanmamış olacak.
Yüksek akım geçecek hatlar daima öncelikli olmalı...
Lineer çalışan mosfetleri neden paralel kullanamıyoruz konusunu biraz deştim.
Mosfeti anahtar olarak kullandığımızda (tamamen açık ya da kapalı) "pozitif sıcaklık katsayısı" na sahip oldukları için paralel kullanabiliyoruz. Sıcaklığı artan mosfetin RDS-on direnci de arttığından otomatik olarak...
Aliexpress işi yapay yükün ilgili kısmı bu şekilde. - girişi 470k ile dijital kısmın 3.3V reg'e vermişler. Ref 0V iken opamp yüksek kazançtan dolayı sapıtmasın diye azıcık biaslamış herhalde.
Ref gerilim mcu dan PWM ve RC filtre ile elde edilmiş ve ayrıca LM321 ikinci bir opamp ile...
Mosfet başı yaklaşık 5A için R1 100k olur.
Pot orta ucuna 100nf eklersek filtrelenmiş, görece daha iyi bir referans gerilim elde etmiş oluruz.
Opamp + girişlerini doğrudan birleştirmek yerine pot orta ucundan her birine ayrı 1k ile git. Buna neden diye sorarsan net cevabım yok. Opamp...
Şu R1 in 39 Ohm olması yanlış. Potansiyometrenin ayarlayabileceği akım aralığına göre R1 değerini hesaplamamız gerekiyor. 39 Ohm olursa potu biraz çevirince devrenin kaldıramayacağı bir akım değerine bir anda zıplayabiliriz.
Diyelim ki her bir mosfetten maks. 3A akım akıtmak istiyoruz. Bu...
Opamp - Mosfet - Şönt yapısını tekrar ederek paralellemek gerek. Yani eşit akım dağılımı için her mosfetin kendi kontrol döngüsü olmalı. Daha basit bir çözüm var mı uygulanmış devre şemalarına bakalım.
Ve akım arttırmak için beklenen modifikasyon geldi. Fakat mevzu bu kadar basit değil. Lineer bölgede çalışan mosfetleri böyle kolayca paralelleyemiyoruz. Aynı gate geriliminde aralarından bir tanesi kapıyı daha fazla aralıyor ve akım ona hücum ediyor.
Şemadaki C1 karttaki C14 oluyor sanırım. Bu tip kapasitörlerde içindeki levha sarımının dış yüzeye en yakın katmanının hangi bacağa bağlı olduğunu tespit etmeye çalıştıklarını görmüştüm. En dışta kalan katmanın ortamdan anten gibi gürültü toplamasından çekinerek ilgili bacağını devrede düşük...
Eğer yapmadıysan D11 anot bağlantısını şönt direncin sağından ayırıp soluna taşı. Yoksa şönt direncin başına bir şey gelirse yine her şey duman olacak. :gulus2:
@Gokrtl
En azından DC için akım, gerilim, güç ilişkisini iyice kafanda oturtursan çok faydasını göreceksin. Bunlara dair sadece basit dört işlemden oluşan formüller matematikten sayılmaz. Bir kağıda basıp duvara asmanın faydası olabilir.
@clc
DC için net çizgi çekseler bile 25 derece gibi gerçek dışı bir sabit değer ile konu yine muallak kalıyor.
Dediğin gibi masada 120W ile sorun çıkmaması güvenilebileceği anlamına gelmiyor. Bir vidanın bile hesabını yapan adamlar ürüne mosfet dolduruyorsa vardır bir bildikleri.
Tek IRFP260 ile 120W denedim. Sorun yok. Eğer soğutma iyi olursa bu akım gerilim değerleri transistörün SOA sınırları içinde kalıyor. Üstündeki abartı soğutucu ile 120W da transistör gövdesi 35 dereceyi geçmiyor. Sınırı görmek adına yakana kadar zorlasam mı acaba? :bilmem1:
Evet, ölçüyorum. Yalnız bendeki potun bacakları üzerinde bulaşık bir madde ya da korozyon gibi bir şey var. Senin de öyle ise ölçerken temas edememiş olabilirsin.