Mosfetin kısa devre olması

[SUB ZERO]

Arkadaşlar merhaba.Tv besleme kartı enerji altındayken Multimetre 1000 v kademesinde mosfetin gate drain uçlarına dokundurdum. Mosfet kısa devre oldu. Bunun sebebi nedir?

 

[Mikro Step]

Mosfetin Gate Source bacagini birbirine baglayip bir daha olc.

Statik elektrik ile gate source kapasitesi kolayca dolabilir ve mosu iletime sokabilir.

 

[SUB ZERO]

Mosfetin Gate Source bacagini birbirine baglayip bir daha olc.

Statik elektrik ile gate source kapasitesi kolayca dolabilir ve mosu iletime sokabilir.

Gate ve source bacaklarını lehimleyip karta enerjı verip bir daha mı ölçeyim?
En başta karta enerji varken 1000 kademesinde gate source uclarına dokundurarak ölçum yaptım.

 

[frekans50]

Amacınız mosfetin sağlamlığını ölçmek ise lehimlemeyin.

 

[SUB ZERO]

Kusura bakmayın anlatadım. Bir tv besleme kartında gate drain arası 1000 v kademesinde ölçüm yaparken mosfet kısa devre oldu
Multimetre ile gate drain arası ölçüm yaparken neden kısa devre oldu orayı anlamadım?

 

[frekans50]

Karta bağlıyken 1000 çeşit sebep olabilir. Enerji varken dokundurduğunuz için voltmetre direnci vasıtasıyla geyte besleme ulaşmış bu yüzden kısadevre olmuştur.


Kısadevre olması İletime geçmiş manasındadır. Bozuk olduğu anlamına gelmez. Fakat devre yapısına göre belki bu kısadevre nedeniyle başka sorun çıkabilir

 

[Mikro Step]

Gate ve source bacaklarını lehimleyip karta enerjı verip bir daha mı ölçeyim?
En başta karta enerji varken 1000 kademesinde gate source uclarına dokundurarak ölçum yaptım.

Kart uzerinde iken degil MOS elinde iken olcum yaptin sandim.

 

[SUB ZERO]

Karta bağlıyken 1000 çeşit sebep olabilir.

Kısadevre olması İletime geçmiş manasındadır. Bozuk olduğu anlamına gelmez

Anlatamadım.
Kartta enerji varken başka bir yeri ölçerken problardan biri gate biri de draine değdi. Mosftetten koku geldi.
Fişi çektim mosfet kısadevre olmuş.
Enerji varken gate drain arası ölçümü mosfeti neden kısa devre etti? Sormak istediğim buydu.
Kusura bakmayın eksik yazmışım.

 

[Mikro Step]

Mosfetin etrafindaki devre elemanlari nedir sadece o bolgeye ait bir sema varmi

 

[SUB ZERO]

Mosfetin etrafindaki devre elemanlari nedir sadece o bolgeye ait bir sema varmi

Var evet. Mosfeti Fan6300 sürüyor. PFC devresi.
Gate ile drain uçlarına değdirdim.

 

[Mikro Step]

Acaba voltmetrenin MOhm seviyesindeki ic direnci +400v uzerinde gate' biasladi da mos iletime mi gecti diye dusundum. Fakat Fan360 buna engel olur.

Problari kaydirip istek disi bir yerlere tamas ettirip anlik kisa devreye neden oilmus olabilirsiniz.

 

[SUB ZERO]

Acaba voltmetrenin MOhm seviyesindeki ic direnci +400v uzerinde gate' biasladi da mos iletime mi gecti diye dusundum. Fakat Fan360 buna engel olur.

Problari kaydirip istek disi bir yerlere tamas ettirip anlik kisa devreye neden oilmus olabilirsiniz.

Çok dikkat ettim ama yine olmuş olabilir. Benim de aklıma anlık kısa devre etmiş olabileceğim geldi.
Yüksek frekans olduğu için oralarda multimetreyle birşey anlayamayız.

O zaman normalde enerji varken multimetreyle mosfetin bütün bacaklarına değdirsek kısa devre olmaz değil mi?

Gate biasladı ne demek?

 

[Mikro Step]

O zaman normalde enerji varken multimetreyle mosfetin bütün bacaklarına değdirsek kısa devre olmaz değil mi?

Gate biasladı ne demek?

Enerji altindayken MOS uclarini voltmetre kademesinde olcerek bozmak pek mumkun gorunmuyor. (Istisnai devre tasarlanirsa olur)

Biaslamak, yari iletkenin kontrol bacagina bir direnc vs uzerinden voltaj uygulamak anlamina geliyor.

 

[132kHz]

Enerji altindayken MOS uclarini voltmetre kademesinde olcerek bozmak pek mumkun gorunmuyor. (Istisnai devre tasarlanirsa olur)

Biaslamak, yari iletkenin kontrol bacagina bir direnc vs uzerinden voltaj uygulamak anlamina geliyor.

maximum gate voltajı genelde 20 v civarı drainde yuksek bir gerilim oldugundan ve gate akım çekmediği için voltmetrede de cok gerilim dusumu olmadıgından maximum voltajı aştı bence

 

[SUB ZERO]

maximum gate voltajı genelde 20 v civarı drainde yuksek bir gerilim oldugundan ve gate akım çekmediği için voltmetrede de cok gerilim dusumu olmadıgından maximum voltajı aştı bence

Draindeki voltaj multimetre üzerinden gate mi aktı?

 

[clc]

Voltaj ölçerken multimetrelerin giriş direnci 10mega ohm gibi oluyor, siz enerji altındaki kartın drain gate arasında 10M direnç bağlamış oldunuz yani. Gate source arasında da bir direnç var o ikisi direnc bölücü gibi davranıp mosun gate ini deler. O yüzden enerji altında ölçüm yapılacaksa iyi kurgulanmalı

 

[132kHz]

Draindeki voltaj multimetre üzerinden gate mi aktı?

Aktı demek cok dogru bir tabir değil ama multimetrenin bir iç direnci var
Drain gate arasına multimetre baglayınca drain ile gate arasına bir direnç baglamış gibi oluyorsunuz eğer gate hiç akım cekmeseydi bu direncin ustınde akım akmadığı için gerilim düşümü olamaz iki ucunun potansiyeli eşit olmalı
Gate ile source arasında gate source kapasitesi var bu kondansator dolarken bir akım cekiyor bunu da anlık olarak eşdeğer direnç gibi modellersek gerilim bolucu direnç devresi elde etmiş oluruz çekilen akıma gore gate voltajı 0 310 v arası (310 örnek mosun bereye baglı olduguna da baglı ) değişir

 

[SUB ZERO]

Gate source arasında 10 kohm direnç var. Bizde drain gate arasına 10 mohmluk iç direnci olan ölçü aleti bagladık. Drain ucunda 310 v var. Bu gerilim bölücüden gate ucuna artık ne kadar gerilim geldiyse mosfeti yaktı. Doğru mu?

 

[Mikro Step]

maximum gate voltajı genelde 20 v civarı drainde yuksek bir gerilim oldugundan ve gate akım çekmediği için voltmetrede de cok gerilim dusumu olmadıgından maximum voltajı aştı bence

Bu olay gerceklesmez cunku D26 var.

Voltaj ölçerken multimetrelerin giriş direnci 10mega ohm gibi oluyor, siz enerji altındaki kartın drain gate arasında 10M direnç bağlamış oldunuz yani. Gate source arasında da bir direnç var o ikisi direnc bölücü gibi davranıp mosun gate ini deler. O yüzden enerji altında ölçüm yapılacaksa iyi kurgulanmalı

Bu olayi daha once deneyerek MOSu bozamadim.

Fakat tartismaya deger.

Source ucu saseye bagli mosun gate' bacagina bir kac 100K uzerinden 18V dan cok cok yuksek voltaj verdim. (Degeri hatirlamiyorum ama 300V vermis de olabilirim) Mosun bozulmasini beklerken MOS banamisin demedi. Sonuc MOS bozulmadi.

Su yorumu yaptim uzerinde durmadim. gate Source arsindaki kacak kapasite 18v civarina ulastiginda gate deliniyor bu kapasitedeki enerji belli. Demekki bu enerji Gate Source bolgesinde imha edecek seviyede yuksek degil.

Mosu bozmak icin enerjinin direnc uzerinden gelmeye devam etmesi lazim. Mesela 10 Ohm direnc uzerinden 20v uygularsak o zaman bozabiliriz.

Fakat bu deneyin sonucu ve yaptigim yorumun dogrulugu halen kafami kurcaliyor.

 

[clc]

10M multimetreden multimetreye değişiyor. Kimisinde daha az kimisinde daha çok. Sizin durumda 10M olduğunu sanmıyorum, gatasource arası 10K ise oraya o şekilde çok komik bir voltaj kalabilir steady state de.

Bu olayi daha once deneyerek MOSu bozamadim.

Fakat tartismaya deger.

Source ucu saseye bagli mosun gate' bacagina bir kac 100K uzerinden 18V dan cok cok yuksek voltaj verdim. (Degeri hatirlamiyorum ama 300V vermis de olabilirim) Mosun bozulmasini beklerken MOS banamisin demedi. Sonuc MOS bozulmadi.

Su yorumu yaptim uzerinde durmadim. gate Source arsindaki kacak kapasite 18v civarina ulastiginda gate deliniyor bu kapasitedeki enerji belli. Demekki bu enerji Gate Source bolgesinde imha edecek seviyede yuksek degil.

Mosu bozmak icin enerjinin direnc uzerinden gelmeye devam etmesi lazim. Mesela 10 Ohm direnc uzerinden 20v uygularsak o zaman bozabiliriz.

Fakat bu deneyin sonucu ve yaptigim yorumun dogrulugu halen kafami kurcaliyor.

Peki bu deneyde gate voltajını gözlemlediniz mi? Gate voltajı kaça kadar tırmandı? Normalde ince bir tabaka o kapasiteyi oluşturduğu için abs max ı çok çok geçerseniz delineceği garanti. Ama üretimden hepsi aynı çıkmıyor bazıları daha çok dayanabilir. Abs max +-20V olan bir mosfet için 25V un 30V un yıkıcı etkisi olması gerekli