Dört terminalli MOSFET

[DonKişot]

Dört terminalli MOSFET'lerin nasıl bir avantaj sağladığını anlamaya çalışıyorum.Birçok makale okudum,YZ ile yazıştım ama hala kafada netleşmedı.Soruce'daki kaçak endüktans elimine ediliyor deniyor ama nasıl ediliyor ikinci source bacak uzunluğu ilk source bacak uzunluğu ile aynı onun da kaçak endüktansı var.Bunun tam olarak açıklaması nedir?

 

[taydin]

Ana drain/source hattından geçen akım çok yüksek, o yüzden oradaki kaçak endüktans, değeri çok küçük de olsa, çok beliryeyici oluyor:

[math]v = L\frac{di}{dt}[/math]
Ama ikinci source'da sadece gate şarj akımları akıyor. Bunlar da nispeten çok düşük akımlar, o yüzden kaçak endüktansın etkisi orada çok daha az oluyor.

 

[DonKişot]

Neticede gate eşik gerilimini uygulaycağız ve mosfeti iletime sokacağız.Gate/source1 ve gate/source2 arasında uygulamış oluyoruz ikisinde de benzer kaçak endüktans var fark nasıl oluşuyor?

 

[butterfly]

Ana drain/source hattından geçen akım çok yüksek, o yüzden oradaki kaçak endüktans, değeri çok küçük de olsa, çok beliryeyici oluyor:

[math]v = L\frac{di}{dt}[/math]
Ama ikinci source'da sadece gate şarj akımları akıyor. Bunlar da nispeten çok düşük akımlar, o yüzden kaçak endüktansın etkisi orada çok daha az oluyor.

​

Timur hocamın da dediği gibi
Ana güç Source hattındaki yüksek di/dt gerilim düşümü, Gate sinyalini bozar ve anahtarlama hızını düşürür. Kelvin Source ucu, düşük akımlı ayrı bir referans sağlayarak bu parazitik endüktans gürültüsünden kurtulmuş olur.

 

[DonKişot]

MOSFET iletimde değiliken drain akımı da yok iken şartlar her iki source için de eşit olmuyor mu?
Bir de MOSFET kesime giderken yani gate gerilimi azalırken source kaçak endüktansında oluşan gerilim MOSFET'in kesime gitmesine yardımcı omaz mı?

 

[taydin]

MOSFET kesime giderkenki senaryoyu tekrar düşün. Drain'den source'a 10A akım geçiyorken, akım hızla azalmaya başlıyor. Bobin üzerindeki voltajın yönü nasıl olur? Gate voltajını destekler mi yoksa gate voltajını azaltır mı? Bunu anlayınca olayı çözmüş olacaksın