Bu olayi daha once deneyerek MOSu bozamadim.
Fakat tartismaya deger.
Source ucu saseye bagli mosun gate' bacagina bir kac 100K uzerinden 18V dan cok cok yuksek voltaj verdim. (Degeri hatirlamiyorum ama 300V vermis de olabilirim) Mosun bozulmasini beklerken MOS banamisin demedi. Sonuc MOS bozulmadi.
Su yorumu yaptim uzerinde durmadim. gate Source arsindaki kacak kapasite 18v civarina ulastiginda gate deliniyor bu kapasitedeki enerji belli. Demekki bu enerji Gate Source bolgesinde imha edecek seviyede yuksek degil.
Mosu bozmak icin enerjinin direnc uzerinden gelmeye devam etmesi lazim. Mesela 10 Ohm direnc uzerinden 20v uygularsak o zaman bozabiliriz.
Fakat bu deneyin sonucu ve yaptigim yorumun dogrulugu halen kafami kurcaliyor.