Basit Elektronik Yük Devresi

[Gokrtl]

Şemaya bakınca şunu anlıyorum;
Akım çekmek isteidğim devrenin artısını mosfete giriyorum. Mosfet yavaş yavaş sürerek bir nevi Drain Source arasını kısa devre yapıyorum. Burada sıkıntım yok. Ama Mosfeti süren kısımda ne kadar akım çekeceğimi ayarlayacak hesabı bilemiyorum. Opamp'ı kesin öğrenmem lazım benim. Pensampermetre bağlayarak üçkağıtçılık yapmanın bana faydası yok.

 

[Mikro Step]

Sirf senin icin opamp hakkinda bir video cekip yayinlayacagim.

 

[taydin]

Eğer akım ayarının bir kolayını istiyorsan, şöntü 1 Ω yap. O zaman şönt voltajı sana doğrudan ayarlanan akımı verir

 

[Gokrtl]

Sirf senin icin opamp hakkinda bir video cekip yayinlayacagim.

Valla çok video izledim abi. Benim öğreneceğim şekilde anlatan birini bulamadım. Kafa kalın benim, girmiyor içeri.

 

[Mikro Step]

Ben seni anladim. Matematiksel aciklama canini sıkıyor.

Videomu begenecegine soz veriyorum.

 

[Gokrtl]

Eğer akım ayarının bir kolayını istiyorsan, şöntü 1 Ω yap. O zaman şönt voltajı sana doğrudan ayarlanan akımı verir

O zaman 0.47 olduğuna göre, şuanda da yaklaşık yarısını veriyor olmalı.

 

[taydin]

O zaman 0.47 olduğuna göre, şuanda da yaklaşık yarısını veriyor olmalı.

Aynen öyle. Bunun çalıştığını görünce artık ohm kanunu senin için soyut olmaktan çıkıyor, hayata geçiyor.

Şöntü yükseltmenin sakıncası, daha fazla ısınacak, bir de akım arttıkça daha fazla voltaja ihtiyacı olacak. Mesela 1 Ω şönt varken 3 A akım çekmek istesen, giriş voltajının kesinlikle 3 V üzerinde olması gerekiyor. O yüzden profesyonel elektronik yüklerde şönt çok düşük bir dirençtir. Devredeki yüksek kalite ve performans, oradaki küçücük voltajı doğru bir şekilde işleyip regülasyonu yapabiliyor.

 

[Gokrtl]

Aynen öyle. Bunun çalıştığını görünce artık ohm kanunu senin için soyut olmaktan çıkıyor, hayata geçiyor.

Şöntü yükseltmenin sakıncası, daha fazla ısınacak, bir de akım arttıkça daha fazla voltaja ihtiyacı olacak. Mesela 1 Ω şönt varken 3 A akım çekmek istesen, giriş voltajının kesinlikle 3 V üzerinde olması gerekiyor. O yüzden profesyonel elektronik yüklerde şönt çok düşük bir dirençtir. Devredeki yüksek kalite ve performans, oradaki küçücük voltajı doğru bir şekilde işleyip regülasyonu yapabiliyor.

O zaman 0.47 varken 3A almak istersem 1.5v civarı yetiyor. Devreye 3v vermektense 1.5v vermek daha az ısınmasını sağlıyor. Doğru mu anlıyorum?

 

[taydin]

Evet öyle.

Mesela Rigol DL3031A, sadece 1.3 V luk bir kaynaktan 60 A çekebiliyor. Bu durumda içindeki şönt en fazla kaç ohm'dur?

 

[Gokrtl]

Evet öyle.

Mesela Rigol DL3031A, sadece 1.3 V luk bir kaynaktan 60 A çekebiliyor. Bu durumda içindeki şönt en fazla kaç ohm'dur?

R=V/A
R= 1.3/60
R= 0.0216666667
mR mi oluyor uR mi onu hesaplayamadım. Noktadan sonra da bir 0 olduğuna göre galiba uR oluyor.

 

[taydin]

0.0216 milliohm

 

[Taçsız Kral Pele]

@taydin de yaşlanış 1.3V/60A=21.6mOhm yapar.

Bu arada tamirini yapmıştım sanırım içinde 0R0005 direnç var. Yani 500uOhm. İsabellen hütte.
Ne demiş atalarımız: "Bu direnç değerini okuyan opamp, ne güzel opamp; bu tasarımı yapan adam, ne güzel mühendistir."

Geri kalan dirençte yollardan falan gelir.

Neden zor dediğimi şöyle anlatayım; bu adam 0.1A geçse üzerinden 50uV gerilim çıkarıcak. 50uV okuyan hem de gürültüsüz falan zor işler. Kim bilir kaç bitlik ADC vardır içinde. Ben yan tarafta öksürsem 50uA çıkar

 

[Mikro Step]

O zaman 0.47 olduğuna göre, şuanda da yaklaşık yarısını veriyor olmalı.

Eger direnci 1 ohm yerine 0.47 ohm secersen akim set edilenin yarisi degil iki kati olur.

Cunku opamp + bacagina verilen voltajin aynisini - bacaginda da olusturmaya calisiyor. Dolayisi ile - bacaktan GND'ye giden direnci dusurdukce daha cok akim akitmak isteyecek.

 

[Atak]

Benim merakım çoğu projede mosfeti soğutuyorlar.
Mosfet aç kapa yapıyor gibi anladım ben, IV curve içinde gezinmiyor, yanlış anlamadıysam.
Mosfetten de şöntten de aynı akım geçiyor ve I^2xR formülüne göre direnci olan daha çok ısınacak.
Çoğunlukla da seçilen mosfetlerin Rds(on) dirençleri şönt direncinden daha az oluyor.
Yani mosfetten çok direnç ısınacak gibi bir sonuç çıkarıyorum ben.
Burada bir yanlışım var mı?
Bir arkadaşım saturasyonda kullanılıyor diyor. Mantıklı direnç olarak kullanılması için.
Ama internetteki birçok videoda opmap ile aç kapa yapılıyor ve bu voltaj genelde Threshold üstünde.
Yani tamamen mosfet iletimde gibi anlıyorum.
Düşüncelerinizi merak ediyorum.

 

[Taçsız Kral Pele]

Benim merakım çoğu projede mosfeti soğutuyorlar.
Mosfet aç kapa yapıyor gibi anladım ben, IV curve içinde gezinmiyor, yanlış anlamadıysam.
Mosfetten de şöntten de aynı akım geçiyor ve I^2xR formülüne göre direnci olan daha çok ısınacak.
Çoğunlukla da seçilen mosfetlerin Rds(on) dirençleri şönt direncinden daha az oluyor.
Yani mosfetten çok direnç ısınacak gibi bir sonuç çıkarıyorum ben.
Burada bir yanlışım var mı?
Bir arkadaşım saturasyonda kullanılıyor diyor. Mantıklı direnç olarak kullanılması için.
Ama internetteki birçok videoda opmap ile aç kapa yapılıyor ve bu voltaj genelde Threshold üstünde.
Yani tamamen mosfet iletimde gibi anlıyorum.
Düşüncelerinizi merak ediyorum.

Opamp ile saturasyon bölgesine sokulmuyor mosfet. Yani öyle aç kapalık durum yok. Öyle olursa kaynağa bir yığın gürültü gider. Bunu istemeyiz.
Bu şekilde çalışmakla aslında mosfetler ya da igbtler ayarlı reosta gibi kullanılıyor diyebiliriz.

 

[fide]

Elektronik yükün çalışma mantığını anladığım kadarıyla anlatmaya çalışayım.
Mosfetlerin tam açık olması için gate'e 12V verilmesi lazım.
Bu noktada drain source arasında RDS on direnci kadar direnç oluşuyor .
Gate'e 0V uygulanırsa mosfet yalıtımda oluyor.

Fakat gate'e datasheette belirtilen Aralık'ta voltaj uygularsan mosfet bir direnç gibi davranıyor.

Grafiğe bakarak gate voltajı 4.5V civarında tutulursa drain source arasında 3A akım akıtabilir.
Bu noktada mosfet, gate voltajı kontrol edilerek reosta gibi kullanılabiliyor. Tabi yeterli soğutma şart.
Mosfetin source pinindeki direnç üzerinde bir gerilim oluşuyor. Bu gerilim opampa veriliyor. Opampı kullanım şekline göre yükselteç yada karşılaştırıcı olarak düşünebilirsin.
Burdaki kullanımı karşılaştırıcı olarak düşünelim. Direnç üzerinde düşen gerilim ile potansiyometrede oluşan gerilimi karşılaştırıyor. Pot üzerinde düşen gerilim (+ giriş) yüksekse çıkışı pozitif yapıyor. Bu da mosfetin iletime geçmesine ve şönt üzerinden geçen akımın artmasına sebep oluyor. Şönt üzerinde düşen gerilim, pot üzerinde düşen gerilimi geçerse bu defa çıkış negatif oluyor ve mosfet kesime gidiyor. Bu noktada öyle kritik bir yerde olay iletim/kesim noktasında kalıyor ve mosfet üzerinden pot ile ayarlanan oranda akım geçiyor.

Burda aslında opampın diğer kullanım alanı olan yükselteçten de bahsetmek lazım.
Opampın yükselteç olarak kullanıldığı durumda çıkış ve - ve gnd arasındaki direnc oranına göre + girişe uygulanan voltajı yükseltir. Bu yükseltme olayı ile mosfetin miller düzlüğü denilen yukarda bahsettiğim grafikteki voltajı elde edersek mosfeti reosta gibi kontrol edebiliriz. İşin özü şönt üzerinde düşen voltaj ile opampın kullanım şekli.

 

[fide]

Mosfet satürasyon bölgesinde çalışıyor. Mosfeti satürasyon bölgesinde tutmak da opampın görevi.
bazı şemalarda şönt çok küçükse önce şönt üzerinde düşen voltaj yükseltilip sonra mosfeti süren opampa veriliyor.
irfp260 normalde atıyorum 100A dayanıklı bir mosfet olsa da satürasyon bölgesinde çalışı ca üzerinde 3-5A geçince soba gibi (voltaja bağlı olarak ) ısınıyor. Mosfet satürasyon bölgesinde reosta gibi çalışıyor şeklinde düşünülebilir

 

[Gokrtl]

Şuanda anladım gibi ama bende kalıcı olması için bu sistemi sık sık kullanmam lazım. Yoksa iki gün sonra unutuyorum. En iyisi not alayım bir yerlere.

 

[HexfeT]

Akım ve gerilimi başlangıç için düşük tutmak lazım. Öncelikle mevcut bir güç kaynağı var ise yapay yükü deneyebilirsin. Mosfetin sağlığı için gücü 50-60W üzerine çıkarmadan ne kadar ısınıyor bir yoklamak lazım. Mosfeti yakmadan üzerinde harcanabilecek güç akım,gerilim ve ısı üçlüsünün sınırları aşmamasına bağlı. Mevcut soğutucu yetersiz görünüyor.

 

[taydin]

Dur yav elektronik yükü bağımsız olarak test et önce Laboratuvar güç kaynağı ile dene.