Diode&Mosfet ORing

[0xyit]

2 adet kaynak var, birisi 7.4V, birisi 12V, bunlari birbirlerine akim aktirmadan oring yapmamiz lazim, mesela 7.4V kaynagi yok, 12V akacak, 12V yok 7.4V akacak, eger ikisi de varsa 12V akacak, fakat bunlar olurken tabii ki iki kaynaga da ters akim akmayacak, benim aklima gelen ilk cozum su sekilde oldu.

ayrica bir not, ideal diode controller olmadan yapilmasi lazim, cunku ulkede adam akilli ideal diode controller yok.

schottky uzerinde 4A'da yaklasik 2W isi aciga cikiyor, tek sorun bunu dagitmak.

 

[0xyit]

bir baska not: low side switching yapmak yok, sadece high side olacak

 

[taydin]

PMOS iletime geçince her iki yönde de iletime geçer, dolayısıyla 12V dan 7.4V a büyük akım akar.

 

[0xyit]

PMOS iletime geçince her iki yönde de iletime geçer, dolayısıyla 12V dan 7.4V a büyük akım akar.

pmosun iletisime gecmesi icin 12V olan kaynagin olmamasi lazim, lakin 12V olan kaynak varsa pmos mantiken kapanir

 

[meke]

Akım değerini belirtmemişin. Demek çok yüksek değil. Herneyse.
Bir süre bende benzer sorunu benzer yöntemler ile çözmeye çalıştım. Sonunda TPS2115 ile yoluma devam ettim. Bunun VINmax ama 5,5V. Daha yüksek olanlar var; örneğin TPS2121
Texas Instruments - Power muxes

 

[0xyit]

Akım değerini belirtmemişin. Demek çok yüksek değil. Herneyse.
Bir süre bende benzer sorunu benzer yöntemler ile çözmeye çalıştım. Sonunda TPS2115 ile yoluma devam ettim. Bunun VINmax ama 5,5V. Daha yüksek olanlar var; örneğin TPS2121
Texas Instruments - Power muxes

IC kullanılmayacak maalesef. VIN yüksek olan ve içinde mosfet bulunduran entegreler türkiyede yok, geçen özdisanda stoğu vardı bitmiş. akım değeri 4A diye belirtmistim. LM74700 gibi entegreler ile cozmustum bu sorunu fakat onun da stogu yok turkiyede. bu yuzden sadece aktif/pasif komponentlerle devam edecegim.

 

[Yasin.]

Örnek devrede IRF9530 source ve drain polarmaları yanlış olmuş. Birde hatırladığım kadarıyla bu IRF9530 un içerisinde source ve drain arasında diyot olması lazım. Bu durumda 12V kaynaktan 7,4V kaynağa akış gerçekleşir. Birde SS16 1amperlik bir diyot. 4 amper sınırına takılıyor.

 

[0xyit]

Örnek devrede IRF9530 source ve drain polarmaları yanlış olmuş. Birde hatırladığım kadarıyla bu IRF9530 un içerisinde source ve drain arasında diyot olması lazım. Bu durumda 12V kaynaktan 7,4V kaynağa akış gerçekleşir. Birde SS16 1amperlik bir diyot. 4 amper sınırına takılıyor.

SS16yi temsilen koydum, duzeltilmis devre bu sekilde, ayrica NPN transistorle mcudan 12vyi anahtarlayabiliyoruz. fakat burada tek sorun var, diyot uzerinde 2-2.5W'lik bir isi ortaya cikicak, bu cok yuksek.

 

[Yasin.]

Bir üsteki mesajdaki devre teorik olarak doğru. BYW51 türde bir diyot kullansanız daha pratik olmaz mı?
İlave: transistör hala IRF9530 ise iç yapısındaki ters diyot sebebiyle 12V kaynaktan 7,4V kaynağa akış riski hala devam etmekte.

 

[0xyit]

Bir üsteki mesajdaki devre teorik olarak doğru. BYW51 türde bir diyot kullansanız daha pratik olmaz mı?
İlave: transistör hala IRF9530 ise iç yapısındaki ters diyot sebebiyle 12V kaynaktan 7,4V kaynağa akış riski hala devam etmekte.

böyle olması gerekiyor sanırım, kafam karıştı iyice ama doğrusu bu olması gerek, byw51ye bakacağım

 

[0xyit]

Bir üsteki mesajdaki devre teorik olarak doğru. BYW51 türde bir diyot kullansanız daha pratik olmaz mı?
İlave: transistör hala IRF9530 ise iç yapısındaki ters diyot sebebiyle 12V kaynaktan 7,4V kaynağa akış riski hala devam etmekte.

BYW51'de yaklaşık 4-5W ısı çıkıyor, çok fazla, heatsink ile desteklenmezse büyük ihtimalle lehimi bile eritir

 

[fide]

Bu çözümün uygun olmadığını biliyorum. Ama neden uygun olmadığını açıklayabilir misiniz? Diyot ismi 1n4007e takılmayın. V_forward
değeri düşük bir diyot kullanılabilir.

Not: "schottky uzerinde 4A'da yaklasik 2W isi aciga cikiyor, tek sorun bunu dagitmak." isterini yeni gördüm.

 

[0xyit]

47857 eklentisine bak
Bu çözümün uygun olmadığını biliyorum. Ama neden uygun olmadığını bu açıklayabilir misiniz? Diyot ismi 1n4007e takılmayın. V_forward
değeri düşük bir diyot kullnılabilir.

Ortaya cikan isi = Vf x Akım
dusuk Vfsi olanlar genelde 0.4 civari oluyor, 5A'da 2W isi demek bu, iki kaynak aktifse 4W isi demek. cok ciddi bir deger, N tipi mosfetler ve ideal diyot kontrolculeriyle aslinda mosfeti bir ideal diyota cevirebiliyoruz, fakat bu da ekstra maliyetle geliyor.

 

[fide]

iki kaynak aktifse 4W isi demek.

İki kaynak da aktifse neden 4w? D2'nin anot 7V4, katotu ~12V olacağı için D2 kesimde olmaz mı?

 

[0xyit]

Doğru. kacirmisim, fakat batarya kisminda diyot kullanmak istemememin sebebi aslinda voltaj dusmesi. 12Vden dusse sorun degil ama bataryada dusmesini istemiyorum

 

[fide]

Bu neden olmaz? Rölenin çek-bırak süresi cihazın enerjisinin 10~20ms kesilmesine sebep olabilir.

Belki bu şekilde geçiş daha pürüzsüz olabilir. ama röle 7V4 ile beslendiği zaman kontaklarının bıraktığından emin olmak lazım.

 

[0xyit]

47859 eklentisine bak
Bu neden olmaz? Rölenin çek-bırak süresi cihazın enerjisinin 10~20ms kesilmesine sebep olabilir.
47860 eklentisine bak
Belki bu şekilde geçiş daha pürüzsüz olabilir. ama röle 7V4 ile beslendiği zaman kontaklarının bıraktığından emin olmak lazım.

bunu kafadan eliyorum, belki çalışır hiç araştırmadım fakat benim çizdiğim pcbdeki boş alan 5mm civarı şuan, röle en azından 20mm oluyor

 

[0xyit]

En son bu geldi aklıma, çalışıyor gibi duruyor fakat kontrol edebilecek olursa çok güzel olur.
Tek anlamadığım kısım, neden 12V 11.2V'a düşüyor? 0.8V nerede kayboluyor onu bulamadım.

https://is.gd/QyVVJ9