- Katılım
- 24 Şubat 2018
- Mesajlar
- 24,718
Bir Arduino UNO ile bir MOSFET'i en fazla hangi hızda anahtarlayabiliriz, öncelikle bunu teorik olarak belirlemeye çalışalım. Sonra da gerçek bir UNO ve gerçek bir MOSFET ile ölçerek sınırları belirleyelim.
MOSFET'lerin gate'lerindeki kaçak kapasite birkaç nano Farad veya daha fazla olabilir, bunun sonucunda da anahtarlama amaçlı gate'e bir ON voltajı uygulanırsa, gate kaçak kapasitesi bu voltaj kaynağından şarj olacaktır ve anlık olarak yüksek bir akım geçecektir.
UNO'nun GPIO pinini MOSFET gate anahtarlama amaçlı kullanacaksak, akımı bir direnç ile sınırlandırmamız gerekiyor. Atmega328p nin datasheet'ina bakınca, 40 mA lik bir sınır akımı verilmiş. Ama bu "absolute maximum ratings" başlığı altında verilmiş, yani bu değeri aşarsan 328p gider. Bu durumda bir güvenlik marjı bırakmamız lazım. Akımı 20 mA ile sınırlandıralım. Bu da 5 V besleme için 250 Ω demek. Standart olarak 220 Ω kullanalım.
MOSFET olarak da lojik seviyelerle çalışan IRLZ44 kullanacağız (şu anda elimde yok sipariş ettim). Datasheet'te 3.3 nF lık bir gate kapasitesi verilmiş. Buradan zaman sabitini hesaplarsak:
[math]\tau = RC = 220 \times 3.3 \times 10^{-9} = 726 \times 10^{-9}\ s = 726\ ns[/math]
Zaman sabiti, kapasitör şarjının %70 değerine ulaştığı zamanı verir. Tam şarj zamanını yuvarlayalım, 1 μs diyelim. Yani UNO nun GPIO pini, gate kapasitesini yeterince saniyede 1000000 kere doldurup boşaltabilecek kapasiteye sahip.
Gene MOSFET datasheet'e bakınca, rise time ve fall time olarak da 230 ns ve 110 ns verilmiş. Burada da sıkıntı yok. Başarılı anahtarlamada kriterimiz, MOSFET drain hem maksimum voltaja ulaşması (full OFF) hem de şaseye inmesi lazım (full ON).
Şimdi bu, işin teorik hesabı. Teorik olarak 1 MHz anahtarlama hızına çıkıyoruz.
Bu hesapta bir yanlışlık var mıdır? Varsa isteyen belirtsin one göre düzelteyim.
MOSFET'lerin gate'lerindeki kaçak kapasite birkaç nano Farad veya daha fazla olabilir, bunun sonucunda da anahtarlama amaçlı gate'e bir ON voltajı uygulanırsa, gate kaçak kapasitesi bu voltaj kaynağından şarj olacaktır ve anlık olarak yüksek bir akım geçecektir.
UNO'nun GPIO pinini MOSFET gate anahtarlama amaçlı kullanacaksak, akımı bir direnç ile sınırlandırmamız gerekiyor. Atmega328p nin datasheet'ina bakınca, 40 mA lik bir sınır akımı verilmiş. Ama bu "absolute maximum ratings" başlığı altında verilmiş, yani bu değeri aşarsan 328p gider. Bu durumda bir güvenlik marjı bırakmamız lazım. Akımı 20 mA ile sınırlandıralım. Bu da 5 V besleme için 250 Ω demek. Standart olarak 220 Ω kullanalım.
MOSFET olarak da lojik seviyelerle çalışan IRLZ44 kullanacağız (şu anda elimde yok sipariş ettim). Datasheet'te 3.3 nF lık bir gate kapasitesi verilmiş. Buradan zaman sabitini hesaplarsak:
[math]\tau = RC = 220 \times 3.3 \times 10^{-9} = 726 \times 10^{-9}\ s = 726\ ns[/math]
Zaman sabiti, kapasitör şarjının %70 değerine ulaştığı zamanı verir. Tam şarj zamanını yuvarlayalım, 1 μs diyelim. Yani UNO nun GPIO pini, gate kapasitesini yeterince saniyede 1000000 kere doldurup boşaltabilecek kapasiteye sahip.
Gene MOSFET datasheet'e bakınca, rise time ve fall time olarak da 230 ns ve 110 ns verilmiş. Burada da sıkıntı yok. Başarılı anahtarlamada kriterimiz, MOSFET drain hem maksimum voltaja ulaşması (full OFF) hem de şaseye inmesi lazım (full ON).
Şimdi bu, işin teorik hesabı. Teorik olarak 1 MHz anahtarlama hızına çıkıyoruz.
Bu hesapta bir yanlışlık var mıdır? Varsa isteyen belirtsin one göre düzelteyim.
Son düzenleme: