Mikro Step
Kıdemli Üye
- Katılım
- 25 Eylül 2022
- Mesajlar
- 5,898
Iki iletken aralarinda 1nm kadar mesafe olacak kadar yaklastirilirsa iletkenler arasinda halen aralik olmasina ragmen iletkenler 1 kac mv altinda bile akim akisina izin veriyormus.
Halbuki klasik dielektrik dayanim hesabi yapilirsa 1nm'den elektrik akimi gecmesi icin 3v gerekli.
Bu deneyi yapabilmek isterdim. Sorun su ki iki iletkeni bir birine 1nm kadar yaklastiracak mekanigi yapmak mesele.
Belki piezo malzeme ile.
Isin bir diger ilginc yani aralarinda 1nm mesafe olan duzenege optik mikroskoplarla da bakamiyoruz.
Gorulebilir isigin dalga boyu 1nm mesafenin yuzlerce kati.
1nm dedigimiz mesafeye 400 tane elektron sigiyor. Yada 8 tane oksijen atomu.
Yariiletken teknolojisinde 3 nm kanal genisliklerine gelinmis.
Bunun altina inilecek mi gorecegiz. Bu mesafelerde tunelleme etkisi devreye girdigi icin yariietken davranislar degisebilirmis.
Halbuki klasik dielektrik dayanim hesabi yapilirsa 1nm'den elektrik akimi gecmesi icin 3v gerekli.
Bu deneyi yapabilmek isterdim. Sorun su ki iki iletkeni bir birine 1nm kadar yaklastiracak mekanigi yapmak mesele.
Belki piezo malzeme ile.
Isin bir diger ilginc yani aralarinda 1nm mesafe olan duzenege optik mikroskoplarla da bakamiyoruz.
Gorulebilir isigin dalga boyu 1nm mesafenin yuzlerce kati.
1nm dedigimiz mesafeye 400 tane elektron sigiyor. Yada 8 tane oksijen atomu.
Yariiletken teknolojisinde 3 nm kanal genisliklerine gelinmis.
Bunun altina inilecek mi gorecegiz. Bu mesafelerde tunelleme etkisi devreye girdigi icin yariietken davranislar degisebilirmis.
Son düzenleme: