Arduino ile maksimum MOSFET anahtarlama hızı

[semih_s]

Burayı tam anlamadım. Sürelerin gate Sinyali ile arasındaki ilişki hangisi. Ben yüksek frekans anahtarlama yapmadım ama 1us altında mosu hem açtım hemde kapattım. Bu süre bana çok hızlı geldiği için sunbber ile kapanma süresini uzatmıştın.

Burada sarı sinyal mosfet drain. low side anahtarlama. morumsu gate voltajı, turkuaz da pwm. Gate şarjının yükselişe geçtiği anın drain voltajının en düşük olduğu nokta olduğuna dikkat etmek lazım. iletime geçmesi ile kesime geçmesi arasındaki fark da pwm high anının mosfet şarjının 0'a düşmesinden önce gerçekleşmesi, gate voltajı eşik voltajındayken. Gate sinyalindeki tepelerin arasındaki düzlükler de miller yaylası oluyor. Buradan benim anladığım Vds voltajı düşerken gate kapasitansı yükseliyor. Yoksa pwm sinyalinden mosfet gate'ine akım akarken voltaj yükselirdi.

 

[Endorfin35+]

Burada sarı sinyal mosfet drain. low side anahtarlama. morumsu gate voltajı, turkuaz da pwm. Gate şarjının yükselişe geçtiği anın drain voltajının en düşük olduğu nokta olduğuna dikkat etmek lazım. iletime geçmesi ile kesime geçmesi arasındaki fark da pwm high anının mosfet şarjının 0'a düşmesinden önce gerçekleşmesi, gate voltajı eşik voltajındayken. Gate sinyalindeki tepelerin arasındaki düzlükler de miller yaylası oluyor. Buradan benim anladığım Vds voltajı düşerken gate kapasitansı yükseliyor. Yoksa pwm sinyalinden mosfet gate'ine akım akarken voltaj yükselirdi.

Bir ara bende bendekini ölçeyim bakayım merak ettim. Bu grafiklere göre gate akımı kötü.

Ayrıca şu miller platosu da ne havalı isim yaw

 

[semih_s]

Aslında gate kapasitansı yükseliyor gibi görünse de bu saçma, görüntülenen durum mosfet modelindeki Cgd, Cds ve Cgs
kapasitelerinden olsa gerek ama gate voltajı şu miller platosundayken gate'e doğru akan akımın hangi mekanizmayla nereye aktığını anlayamadım. Aşağıdaki fotoğraf şu bağlantıdan.

https://www.researchgate.net/publication/328990876_Fast_Switching_Planar_Power_Module_With_SiC_MOSFETs_and_Ultra-low_Parasitic_Inductance

 

[taydin]

Burayı tam anlamadım. Sürelerin gate Sinyali ile arasındaki ilişki hangisi. Ben yüksek frekans anahtarlama yapmadım ama 1us altında mosu hem açtım hemde kapattım. Bu süre bana çok hızlı geldiği için sunbber ile kapanma süresini uzatmıştın.

Bu testte gate 1 k direnç üzerinden sürülüyor, o yüzden herşey yavaş. 10 Ω ile sürünce herşey gece ve gündüz gibi değişiyor. Zaten bu konuyu açmamdaki amaç hızlı anahtarlama için gate driver'in gerekliliği idi. Bunu pratikte de görmüş olduk.

 

[Endorfin35+]

Aslında gate kapasitansı yükseliyor gibi görünse de bu saçma, görüntülenen durum mosfet modelindeki Cgd, Cds ve Cgs
kapasitelerinden olsa gerek ama gate voltajı şu miller platosundayken gate'e doğru akan akımın hangi mekanizmayla nereye aktığını anlayamadım. Aşağıdaki fotoğraf şu bağlantıdan.

https://www.researchgate.net/publication/328990876_Fast_Switching_Planar_Power_Module_With_SiC_MOSFETs_and_Ultra-low_Parasitic_Inductance

Belki hatalıyımdır ama bu miller işini öğrendiğim zaman kafamda gereksiz bilgi olarak tasnifledim. Cgd miller olayında önemli etken. Çalışma tekniğini %100 yorumlayamam ama sanırım şunu söyleyebilirim. Mantıken mosfet kesimde iken cgd kapasitesisi şarjlı durumda olmalı. Gate i şarj ederken plato zamanında cgd bir miktar dejarj oluyor sanırım. Buda bize miller gecikmesi olarak dönüyor. Yani akım cgd ve cds nin deşarjına gidiyor olmalı. Ancak sonuçta bence devre tasarımını doğrudan etkileyen bir faktör değil bence. Sebebi ise etkenin dış devrede değil mosfetin iç yapısında olması. Sadece mosfet seçim kriteri olabilir...

 

[semih_s]

21038 eklentisine bak

Belki hatalıyımdır ama bu miller işini öğrendiğim zaman kafamda gereksiz bilgi olarak tasnifledim. Cgd miller olayında önemli etken. Çalışma tekniğini %100 yorumlayamam ama sanırım şunu söyleyebilirim. Mantıken mosfet kesimde iken cgd kapasitesisi şarjlı durumda olmalı. Gate i şarj ederken plato zamanında cgd bir miktar dejarj oluyor sanırım. Buda bize miller gecikmesi olarak dönüyor. Yani akım cgd ve cds nin deşarjına gidiyor olmalı. Ancak sonuçta bence devre tasarımını doğrudan etkileyen bir faktör değil bence. Sebebi ise etkenin dış devrede değil mosfetin iç yapısında olması. Sadece mosfet seçim kriteri olabilir...

Uygulamada var olduğunu ve davranışı bilmek yeterli tabii.

 

[Endorfin35+]

Uygulamada var olduğunu ve davranışı bilmek yeterli tabii.

Heniz hiç bir şey bilmeyip Mosfeti öğrenmeye çalışırken bir forumda bu nasıl nerde kullanılır falan diye çok basit bir soru sormuştum. Gelen cevap millerin ne olduğunu öğrenmelisin olmuştu. Hiç bilmeyen adama miller Ne alaka..! Önce gate şarjı ile iletime geçtiğinden vs bahset miller ötede duruversin... O günden beri bu miller kimse acayip uyuzum.

 

[taydin]

Normal BJT transistörde bile miller etkisi var. Orayı da karıştırmış herif