IGBT ve MosFet' lerdeki dahili diyot hakkında.

[Melih1966]

IGBT ve MosFet' lerdeki dahili diyot' u malzemenin kodunu bakarak anlamanın bir yolu var mı, yoksa tek yol datasheet' mi?

Bazı MosFet' lerde "Source" "Drain" arasında Zener diyotlu bir ifade, bazılarında ile Standart bir diyot ifadesi görüyorum. Bu farklılık sadece üretici firma tercihi midir, yoksa işlevsel olarak aynı mıdır?

 

[Mikro Step]

Source drain arasinda zener degil de normal diyod olur.
Bazi mos ve IGBTlerde zener, gate source arasinda oluyor.

 

[Melih1966]

Buradaki Zener ifadesi kafamı karıştırdı.

 

[clc]

Bir mosfet aslında drain source arasında zener e benzer bir davranış sergiler, mesela drain source kırılma voltajı 100V ise(Vdsmax) buna enerjisi düşük 110V luk bir darbe vurmaya çalışırsanız sağ kalabilir. O yüzden zener gibi çizilmiş olabilir, ama aslında o mosfetin yapısından dolayı oluşmuş bir diyot. IGBT için ise o diyotu spesifik olarak koyuyorlar, mosfetteki gibi kendiliğinden oluşmuyor.

 

[Mikro Step]

Bahse konu diyod hizli, toparlanma suresi kisa bir diyod.

Muhtemelen Drain-to-Source Breakdown Voltage degerinden dolayi belki diyod yerine zener sembolu koymuslardir.