mosfet ters koruma

[Peak2Peak]

Merhaba aklıma takılan bir husus var.
Ters koruma diyotla yapmak yüksek güç tüketimine yol açabilir. Bu yüzden mosfet kullanıyorlar.

Normalde anahtar olarak kullanılmak istenen pmos akım yönü source to draindir.
Çünkü bu yönde hem kapatılabilir hem de açılabilir.
Ters koruma için Drain to source şeklinde bağlanıyor.Bu şekilde tetik almadan geçiş sağlıyor. Ters bağlandığında ise geçiş sağlamıyor
Bu yönde mosfet body diode sahip ama hem ltspice hem de fiziksel olarak denediğimde gerilim düşümünü rastlayamadım.

Fiziksel olarak denerken bu malzemeleri kullandım.
Mosfet = IRF4905
Zener = 1 W 12V
Direnç =22K
Yük 27ohm
Uygulanan gerilim 18 V
Çekilen akım 0.667 A
Ters bağlıyorum akım akmıyor. Düz bağlıyorum tüm gerilim yüke düşüyor. Mosfet üzerindeki diyotta 0.7 gibi bir düşme göremiyorum.Acaba mosfetin diyotu mu yok diyo düşündüm datasheet üzerindeki sembolde diyot var gözüküyor. Açıklayabilcek var mı acaba ben mi yanlış düşünüyorum.

 

[Endorfin35+]

Merhaba aklıma takılan bir husus var.
Ters koruma diyotla yapmak yüksek güç tüketimine yol açabilir. Bu yüzden mosfet kullanıyorlar.

Normalde anahtar olarak kullanılmak istenen pmos akım yönü source to draindir.
Çünkü bu yönde hem kapatılabilir hem de açılabilir.
Ters koruma için Drain to source şeklinde bağlanıyor.Bu şekilde tetik almadan geçiş sağlıyor. Ters bağlandığında ise geçiş sağlamıyor
Bu yönde mosfet body diode sahip ama hem ltspice hem de fiziksel olarak denediğimde gerilim düşümünü rastlayamadım.

Fiziksel olarak denerken bu malzemeleri kullandım.
Mosfet = IRF4905
Zener = 1 W 12V
Direnç =22K
Yük 27ohm
Uygulanan gerilim 18 V
Çekilen akım 0.667 A
Ters bağlıyorum akım akmıyor. Düz bağlıyorum tüm gerilim yüke düşüyor. Mosfet üzerindeki diyotta 0.7 gibi bir düşme göremiyorum.Acaba mosfetin diyotu mu yok diyo düşündüm datasheet üzerindeki sembolde diyot var gözüküyor. Açıklayabilcek var mı acaba ben mi yanlış düşünüyorum.

22219 eklentisine bak

Bir ara benimde kafamı karıştırmıştı. Diyotlu diyotsuz model diye birşey yok. Anladığım kadarı ile yapı itibari ile o diyot orada oluşuyor. Yani tüm mosfetletde diyot var gibi düşünmelisin. Diyot yönünde akım akarken gate i tetiklemezsen normal diyot gibi çalışır ve üzerinde bir miktar gerilim düşer. Gate tetiklenirse üzerinde düşen gerilim miktarı çok çok azalır.

 

[Mikro Step]

Mosfetlerde drain ve source yer degistirebilir. Tek sikinti substrate bacaginin source bacagina icten bagli olmasi. Bu durumda drain ve source arasinda diyod olusmus oluryor bu da mosu polarize ederken diyod yalitimda kalacak sekilde bagliyoruz. Senin ornekte o diyod iletim yonunde ve mosu iletime sokarak diyod uzerindeki kaybi azaltiyoruz. Mosun ic yapisini dusunursen drain yada source kendi aralarinda yer degistirebilir. Nitekim senin devrede de boyle oluyor.

O diyod substrate ile source ve drain arasinda mecburen olusuyor. Substrate ile source icten bagli olunca da sadece source drain arasinda diyod gorunuyor.

 

[Peak2Peak]

Teşekkür ederim anladığım kadarıyla pmosu drain to soruce şekilde polarlarsam ve VGS=0 eşit yaparsa diyot düşümünü göreceğim.
Ben VGS=10+ gibi bişey yaptığımda doğru polarlanmış mosfetin diyotunu yok ediyorum gibi bişey sanırsam.

 

[Mikro Step]

Gate Source bacagini kisa devre edersen de 0.7v gorursun.

MOS iletime girdiginde diyodu kisa devre ediyor. D-S uclarinda Rds*Id kadar bir voltaj dusumu oluyor bu da 0.7v dan dusuk kaliyor.