onu takabilirsin. çin malı seçmezsen daha iyi olur.
şöyle düşün.
mosfet 2 sebeple ısınır.
1 rds üzerinden geçen akım
2 yükselme ve düşme anında oluşan ısınma.
yükselme ve düşme süresi ne kadar uzun olursa tipik olarak 1us altındadır bu esnada vds x ids kadar ısınma yapar.
işte Qg ne kadar düşük olursa mosfet o kadar gızlı açılıp kapanacağı için 2. durumdaki ısınma o kadar az olur.
Qg mosfetin giriş kapasitörünü iletime geçirecek olan elektron miktarıdır.
Q=i x t
q büyürse vgs gerimini şarz etmek uzar ve 2. durumdaki güç kaybı oluşur.
anahtarlama hızı mesela sn de 100 kere ise qg nin büyük olması sorun değildir.
fakat sn deki anahtarlama sayısı artarsa üstelik çalışma voltajı da artarsa 2. durumdaki ısınmada artacaktır.
bu sebeple yüksek voltajda çalışan mosfetlerin qg sinin küçük olması önemlidir. genelde böyledir.
Qg büyük ise ve mosfet driver şarz deşarz akımlarıda büyükse yine 2. durumdaki ısınma az olur.
yani önemli olan mosfet giriş kapasitesini şarz ve deşarz etmek.
ya giriş kapasitesi düşük olacak yada yüksek akım basan çeken driver ile mosfeti süreceksin.
senin devrede mosfet driver değişmeyeceği için düşük qg daha doğru olur.
şu da var mesela qg biraz yüksek olsa bile rds küçükse 1 durumdaki ısınma azalacağı için toplamda yine aynı ısınır.