Temel transistör devreleri: Transistörlü anahtar

[yesilu]

http://www.megep.meb.gov.tr/mte_program_modul/moduller_pdf/Transist%C3%B6rl%C3%BC%20Devreler%20%28U%C3%A7ak%20Bak%C4%B1m%29.pdf

burada transistör devreleri basitçe anlatılmış, ilgilenenlere tavsiye ederim.

 

[Furkan KELEŞOĞLU]

http://www.megep.meb.gov.tr/mte_program_modul/moduller_pdf/Transist%C3%B6rl%C3%BC%20Devreler%20%28U%C3%A7ak%20Bak%C4%B1m%29.pdf

burada transistör devreleri basitçe anlatılmış, ilgilenenlere tavsiye ederim.

Mili eğitimin Modülleri bunlar. MEGEP Bireysel öğrenme metaryalleri yaz tonlarcası var böyle farklı farklı bölümlerin içerik kitapları.

|| MEGEP ||

 

[taydin]

Temel tek transistörlü yükselteçlerde ideal transistör varsayımı yapılmış ve transistörlü anahtarda da sabit bir beta (h[SUB]FE[/SUB]) varsayılmış. Sadece birkaç sayfalık bir bölümde bile önemli hatalar var. Başka yerlerini incelemedim ama MEGEP dokümanlarında genel olarak bu aşırı soyut/teorik anlatım problemi var. Bu dokümanı birisinin okuyup da hemen bir devre üzerinde uygulama şansı çok az.

 

[taydin]

bd139 gibi güç transistörlerinde yapılan hesap nasıl değişiyor? yoksa aynı mıdır?

Güç transistörlerinde de prensip aynı. En olumsuz durumdaki h[SUB]FE[/SUB] değerini buluyorsun, onun da üzerinde bir marj koyup ona göre baz akımını hesap ediyorsun.

Ama bu, pratikte yapılan birşey değil, çünkü güç transistörü dediğin belki 2A akım çeken bir yükü sürecek. Bu durumda da belki bazına 150 mA akım vermen gerekecek. Birçok dijital devrenin çıkışı bu kadar akım veremez, o yüzden böyle güç transistörleri direkt olarak sürülmez. Onun yerine "darlington" denen çift transistörlü bir yapı kullanılır.

Aşağıda TIP122 darlington'un iç yapısı görülüyor. Bir tane asıl yükü süren ana transistör var (sağdaki), bir tane de ana transistörün bazını süren ilave transistör var. Bu kaskat yapı nedeniyle darlington'ların h[SUB]FE[/SUB] si yüksektir (birkaç bin) ve birkaç miliamper baz akımı ile birkaç amperlik akımlar rahatlıkla kontrol edilir. Böyle bir yapı kullanırsan, gene en kötü senaryodaki h[SUB]FE[/SUB] ye göre ve ilave marj ile baz direncini hesaplarsın işi bitirirsin. Tabi geçecek akıma göre güç sarfiyatı analizi yapıp gerekirse uygun soğutucu da takmak lazım.

 

[taydin]

Esasında endüstrinin gittiği trend açısından bakarsan, transistörlerin anahtar olarak kullanılması artık köhneleşmiş bir uygulamadır. Ama halen kurulu olan cihaz ve sistemlerde yaygın olarak görülür. O yüzden bunları irdeleyip anlamak, bilmek lazım.

Günümüzde en ideal anahtarlama transistörü MOSFET'tir ve yüksek hız gerekmiyorsa kullanımı çok kolaydır.

 

[SUB ZERO]

Temel tek transistörlü yükselteçlerde ideal transistör varsayımı yapılmış ve transistörlü anahtarda da sabit bir beta (h[SUB]FE[/SUB]) varsayılmış. Sadece birkaç sayfalık bir bölümde bile önemli hatalar var. Başka yerlerini incelemedim ama MEGEP dokümanlarında genel olarak bu aşırı soyut/teorik anlatım problemi var. Bu dokümanı birisinin okuyup da hemen bir devre üzerinde uygulama şansı çok az.

Kesinlikle katılıyorum hocam. Ben şahsen okumuştum çok da sey anlamadım. Somut örnekleri çok az formullerle boğmuşlar insanları...

 

[SUB ZERO]

N kanal mosfetlerde gate ile soruce arasına bağlı direnç mosfetin kapatılması için( off) bu terminalde kalan şarjı boşaltmaktır.(1.şema)
P kanallı mosfette gate ile source arasına bağlanan direncin amacı da aynı sanırsam? Niye sordum 2.şemada 12v aynı zamanda seri bağlı. 2 amaca mı hizmet ediyor acaba? Hem bu terminaldeki şarjı boşaltmak hem de 12v düşürmek???

 

[taydin]

N kanal mosfetlerde gate ile soruce arasına bağlı direnç mosfetin kapatılması için( off) bu terminalde kalan şarjı boşaltmaktır.(1.şema)
P kanallı mosfette gate ile source arasına bağlanan direncin amacı da aynı sanırsam? Niye sordum 2.şemada 12v aynı zamanda seri bağlı. 2 amaca mı hizmet ediyor acaba? Hem bu terminaldeki şarjı boşaltmak hem de 12v düşürmek???

R[SUB]G[/SUB] nin amacı her iki devrede de tam olarak aynı. Hem gate kaçak kapasitesini boşaltmak hem de gate bir şekilde sürülmezse, gate'i güvenli bir potansiyelde tutup MOSFET'in yanlışlıkla ON olmasını önlemek. R[SUB]G[/SUB] nin burada başka bir amacı yok.