Doyumdaki transistorde olusan polarite

[Mikro Step]

Calisiyor ama ilk transistorle alakasiz parametreleri olur.

Basimdan gecen gercek bir olaydan bahsedeyim. Gerci bu forumda da yazdim diye hatirliyorum.

NPN transistorun beyzine yanlislikla dokunan tel yuzunden transistorum bozuldu. (Elektronige ilk basladigim yillarda malzeme yoklugundan dolayi bozulan transistorleri dahi saklardim. Eger iki bacagi arasinda diyod ozelligi varsa diyod deneylerimde kullanirdim.)

BC237 (NPN) benim favori transistorumdu gene sakarlik sonucu BE jonksiyonu gitti. Olcu aleti ile olcerken oda nesi Transistorun PN jonksiyonu tersine donmustu.

Olayin ustune gittim. PNP basit bir uygulama yaptim. Transistor calisti.

Ustelik bu olay bir kac kez basima geldi.

Aciklamasini bilmiyorum.

 

[devreci]

bu nasıl olabilir , demek ki çok yüksek voltaj varmış uclarında atomlar yer değişmiş.

Peki o zaman kollektör ve emitoru ters bağlasak neden çalışmıyor ?? Sonuçta mantık aynı.

Bence bu şu nedenle oluyor ilk başta n tipi wafer var buna bir pencereden p tipi atom yüklüyorlar bu baz oluyor , daha sonra baz ın üstüne tekrar n tipi yüklüyorlar bu da kollektor , kollektörün yapısında hem n tipi atom çok ama p tipi atom da var yani fazlaca kirlenmiş bu nedenle
emitor olrak kullanılamıyor hfe çok düşük oluyor , dijital oluyor gibi gibi.

Eğer transistör üretimde npn deki N tipi alanlar aynı özellikte olsaydı emitor kollektorü ters bağlasak bile aynı sonucu alacaktık , mosfettede bu durum var galiba.

 

[Mikro Step]

bu nasıl olabilir , demek ki çok yüksek voltaj varmış uclarında atomlar yer değişmiş.

Bu konuda ahkam kesecek bilgim yok ama iyon bombardimani ile kristal yapi kirletilebiliyor. Belki sakar telle enjekte edilen elektronlar iceride bir bombalama olayi gerceklestirmistir.

Eğer transistör üretimde npn deki N tipi alanlar aynı özellikte olsaydı emitor kollektorü ters bağlasak bile aynı sonucu alacaktık , mosfettede bu durum var galiba.

Beyzin aldigi konum itibariyle de C ve E simetrik olmali.