Doyumdaki transistorde olusan polarite

[Mikro Step]

Doyumda olan NPN transistorun VBE=0.6v ve VCE=0.1v oluyorken VCB voltajinin -0.5V olmasi yukaridaki yariletken dizilimine gore nasil olabilir?

Yada VCE 0.1v iken nasil olur da C E arasinda kalan B 0.6v deger alabilir.

 

[mehmetaliözdemir]

ölçümler DT830 ile yapılmış olabilir

 

[clc]

Soruyu tam anlamadım aslında ama biraz tartışılsa hem soru anlaşılır hem de bir şey çıkar diye bir iki bilgi atayım ortaya.

Bjt lerin emitteri highly doped iken, base ve collectoru öyle değil. Dolayısıyla aslında iki PN junction olarak ayırırsak eşit iki diyot görmeyiz, çünkü birinin(artık çizime sabitledim) N region u highly doped iken diğeri değil. Dolayısıyla iki diyotta forward bias iken 0v görmüyoruz. Saturation da iki diyotta forward biasda, forward active de sadece base emitter.

 

[Endorfin35+]

Soruyu tam anlamadım aslında ama biraz tartışılsa hem soru anlaşılır hem de bir şey çıkar diye bir iki bilgi atayım ortaya.

Bjt lerin emitteri highly doped iken, base ve collectoru öyle değil. Dolayısıyla aslında iki PN junction olarak ayırırsak eşit iki diyot görmeyiz, çünkü birinin(artık çizime sabitledim) N region u highly doped iken diğeri değil. Dolayısıyla iki diyotta forward bias iken 0v görmüyoruz. Saturation da iki diyotta forward biasda, forward active de sadece base emitter.

Türkçesi varmı?

Ciddiyim. Ne dediğini anlamak istiyorum.

 

[clc]

Türkçesi varmı?

Ciddiyim. Ne dediğini anlamak istiyorum.

Yok gibi ama biraz daha açıklama yazayım. Emitter, collector, base bu kısımlar zaten anlaşılmayı etkilemiyordur. Doping(mesajda doped olarak çekili yani dope mu diyeyim bilemedim) saf durumda olan yarı iletkene bir şeyler(aslında impurities ekliyoruz diyoruz, ama kirlilik gibi çevirmek hoş olmaz, çünkü anlamı bu değil.) ekleme durumu. Mesela silicon u alıp bor ile dope edebilrisiniz. N tipi P tipi yarı iletkenler böyle elde edilir. Bence kalanı tamam

 

[Mikro Step]

Doped katki yapilmis anlaminda kullaniliyor. Saf silisyuma yabanci atomlar katiliyor ya iste bu islem. Aslinda saf kristal yapi kirletilmis oluyor.

Kitaplarda yapilan katki miktarinin kafada canlanmasi icin, olimpik havuz suyuna (saf silisyum kristali) bir kac damla murekep (yabanci atom) damlatip havuzu kirletmek seklinde benzetme yapilir.

 

[Andromeda]

.. niye olmasın - 0.5V..olabilir.
pratik devrede böyle bir durum oluşuyor ise..
Şaşılacak bir durum varsa
nedeni transistörün yapısı ile alakalı olmalı.. elektron oyuk hareketi, bölgelerin daralıp genişlemesi(mecazi anlamda) vs vs.. bu konuda teorik bilgisi olanlar soruyu anlamıştır zaten..
ama benim gibi teorik bilgisi zayıf olanlar için bu durumun neden şaşırtıcı olduğunun soruyu anlamak bakımından izah edilmesi gerekir.. o zaman diyeceğim ki;
"hakikaten doğru.. nasıl oluyor böyle birşey?"

 

[Mikro Step]

Gariplik dikkatinizi cekmiyor mu? 0.6V olarak gosterdigim kisim kollektor ile emetor arasinda bir yerde.

Hemen ustundeki kisimin (kollektorun) en alt uca gore potansiyeli 0.1v

0.1v disaridan 0.1v olarak verilmiyor. Mesela kollektore 5v 1K uzerinden uygulaniyor. Kollektorde 0.1v kaliyor.

Probu yariiletken yapi uzerinde en ustteki kollektorden asagiya indirirken (potansiyometre misali) oda nesi voltaj 0.6v civarina yukseliyor.
Boyle bir durumun klasik devrelerde olabilmesi icin iceride bir pil olmasi gerekir.

Boyle dusunursek bu enerjinin korunumuna aykiri.

 

[taydin]

Ben bir gariplik göremiyorum. Eğer üç tane node olan ve pasif devre elemanlarından oluşan bir devre olsaydı, o zaman bu yapı mantık yapmazdı. Ama transistör öyle değil. Eşdeğer devresi üzerinden analiz etmek lazım.

En basitinden şunu düşün, baz ile ortadaki P junction arasında bir dahili direnç varsa, otomatikman sorun ortadan kalkıyor.

 

[Mikro Step]

Hah, iste ben de yari iletken yapida bu durumu aciklamanizi bekliyorum. (Dahili direnc her durumda var.)

Farkindamisiniz bilmem. Yariiletkenler ve yapilari uzerine sozugecen yeni uyelerimizden bir arkadasimiz var.

Onun bu konuyu, ilk okul bebesinin anlayacagi tarzda izah edecegini dusunuyorum.

 

[Andromeda]

.. 0.6 volt dışarıdan uygulanan gerilim değil mi.. beslemenin + ucuna bağlı baz gerilim bölücü direnç ile. Ayrıca yarıiletken yapıyı pot gibide düşünemeyiz zaten.. ama dediğim gibi elektron oyuk hareketini incelemek lazım..

 

[Mikro Step]

Tamam nasil istiyorsan oyle acikla.

Mesela burada N+ ve N farki nedir? Keza P ve P+

 

[Mikro Step]

Ayrıca yarıiletken yapıyı pot gibide düşünemeyiz zaten.. ama dediğim gibi elektron oyuk hareketini incelemek lazım..

Olcu aletinin probunun ucuna incecik tel baglayip bu teli kollektor bolgesinden emetor bolgesine dogru suruklersen bu yapi potansiyometre olur. Bunu demek istedim.

 

[HexfeT]

Kollektör-beyz arasında görülen 0.5V, emiter-beyz arasına dışarıdan uygulanan 0.6V gerilimin kollektör-emiter üzerine düşen 0.1V kırpılmış hali.

Kollektör-emiter arasında akan elektronlar beyzdeki P maddesinin herhangi bir yerinden ölçüm almaya çalıştığınızda hiç muhatap olmayıp yollarına devam ediyorlar. Ölçü aletinin probunu kollektör bölgesinden emiter bölgesine gezdirirken beyz bölgesine geldiğimizde sadece emiter-base arasında hareket eden elektronlarla muhatap olabilirdik.

 

[Mikro Step]

... Kollektör-emiter arasında akan elektronlar beyzdeki P maddesinin herhangi bir yerinden ölçüm almaya çalıştığınızda hiç muhatap olmayıp yollarına devam ediyorlar.

Yesil renkli yapidan konusalim.

Muhatap olmayalim dedikleri bolge tam da kollektorle emetor arasinda kaliyor.

Cevaplamak isterseniz bir baska sorum da yesil renkli cizime bakarsak, nasil oluyorda Vcbo > Vceo oluyor.

 

[devreci]

Farkindamisiniz bilmem. Yariiletkenler ve yapilari uzerine sozugecen yeni uyelerimizden bir arkadasimiz var.

Onun bu konuyu, ilk okul bebesinin anlayacagi tarzda izah edecegini dusunuyorum.

Kim hocam o @DeveliAhmet mi?

Konu hakkında şöyle düşünelim , sünger gibi yapısı var tabi elektron bakış açısı ile , baza voltaj verildiğinde o süngerin gözenekleri genişliyor ve tıpkı metal gibi hale geliyor içinden elektronlar geçebiliyor , tabi sallıyorum fakat mosfeti düşünsek doğru gibi bu yazdıklarım.

 

[Mikro Step]

Kim hocam o ....

ben Bulent

@ben Bülent

 

[Ahmet Develi]

Oh neyse yine bildiğimi bilmediğim hangi konu diyordum, bu sefer olay ben değilmişim

 

[czorgormez]

bence burada görsellerden kaynaklı bir algı hatası var. görsellere göre birbirine seri bağlı 2 diyot varmış gibi görünüyor. çıkan sonuç saturasyon halindeki bir bjt transistörde emiter-kolektör arası iç direnç çok düşük olurken. base emiter veya base collectör arası direnç değişmiyor.


silikon seviyesinde bjt transistörü anlatan bir video:

ayrıca şöyle bir yanıt da var:

Why does only a small current flow out of the base in an NPN transistor and the majority flow from emitter to collector?
In the case of an NPN transistor, the base is positive with respect to the emitter; and lets say the emitter is actually connected directly to ground for purposes of this example. as you begin to conduct current between the base and emitter, electrons leave the emitter and move into the base. These electrons that are now in the base can go two places. Out the base lead or jump between the base and collector. As we know, the there is a positive charge in the base between the base and collector, so what’s the electron going to do. Is it going to fill a hole in one of those positive charges, or is it going to go out the base lead. Well as it turns out and as a function of the design, about 99 out of 100 electrons end up filling the hole. Once that hole is filled, an electron can move from the collector where it was part of the depletion region between the base and collector and go out to the source through the collector lead. That first electron by the way finds it’s way into the collector. Hope that’s all kind of clear.
What you’re looking at is an electron that just entered the base material, and finds itself in a really long hall with 100 doors 99 of which lead to the collector and the one at the very end of the hall leads to the base. Don’t forget about the attraction of the positive charge and electron negative charge. What’s the likely hood the electron’s going to end up going out the base lead? That one electron that doesn’t get sucked into any one of the positive charges leading to the collector will leave through the base lead.
It’s my understanding the thicker the base material and the more narrow the channel through which the electrons can travel through that base material results in a smaller current Gain. Why? Given the shorter distance to travel to the base lead and the distance the electron has to travel to get to the collector, the odds increase that the electron will make it to the base lead.

 

[devreci]

Peki o zaman kollektör ve emitoru ters bağlasak neden çalışmıyor ?? Sonuçta mantık aynı.